第1题：
关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
第2题：
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
第3题：
此题为判断题(对，错)。
第4题：
A.基区薄且低掺杂
B.发射区高掺杂
C.发射结面积大
D.集电结面积大
第5题：
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第6题：
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
第7题：
A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏
D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
第8题：
A、基区
B、发射区
C、集电区
D、不确定
第9题：
A.掺杂少
B.鼠掺杂多
C.纯净
D.不掺杂
第10题：
为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。