问答题在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少？

题目

问答题

在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从04000H开始，译码器电路采用74LS138。计算此RAM存储区域的最高地址是多少？

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第1题：

外围电路中某电路，使用8K×4位的SRAM存储器芯片构成256K×32位的Cache存储器。(26)片，存储器地址码位数是(27)，单个芯片的地址码位数是(28)。

A．256

B．128

C．512

D．255

正确答案：A
解析：(256/8)×(32/4)=32×8=256片

第2题：

某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有(11)K字节。若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需(12)片。

A．128

B．160

C．180

D．220

正确答案：B
解析：将大地址加1等于6C000H，再将大地址减去小地址，即6C000H-44000H=28000H。十六进制的(28000)16=2¹⁷+2¹⁵=128K+32K=160K(字节)。由于内存是按字节编址的，也就是说每16K个内存单元需两2片SRAM芯片。所以要构成160K字节的内存共需20片。

第3题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第4题：

某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有（）K字节。若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需（请作答此空）片。

A.128
B.160
C.180
D.220

答案：B

解析：

将大地址加1等于6C000H，再将大地址减去小地址，即6C000H-44000H=28000H。十六进制的(28000)16=217+215=128K+32K=160K(字节)。由于内存是按字节编址的，也就是说每16K个内存单元需两2片SRAM芯片。所以要构成160K字节的内存共需20片。

第5题：

PC中既使用ROM，也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中，错误的是( )。

A．ROM芯片掉电后，存放在芯片中的内容会丢失

B．PC中CMOS RAM中的信息，在PC关机后一般不会丢失

C．由于SRAM的速度比DRAM快，因此，在PC中，SRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由DRAM组成

D．DRAM的基本存储电路单元是单管动态存储电路，SRAM的基本存储电路单元是六管静态存储电路，因此，DRAM的集成度比SRAM的集成度高

正确答案：A

第6题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第7题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： Ⅰ．DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ．DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ．DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ．DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需刷新通常情况下，哪两个叙述是错误的?

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：B
解析：DRAM(Dynamic RAM)，是动态随机存储器。SRAM(静态RAM)，是静态随机存取存储器(Static RAM)，且工作时需要刷新，故Ⅳ错，无论是集成度还是生产成本，DRAM都更具优势，故Ⅱ错。所以应选B。

第9题：

某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有(1)K，若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需(2)片。

A．128

B．160

C．180

D．220

正确答案：B

第10题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新，SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下，错误的是()。

A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ

答案：B

解析：

DRAM的集成度高于SRAM，SRAM的速度高于DRAM，可以推出DRAM的成本低于SRAM，SRAM芯片工作时不需要刷新，DRAM芯片工作时需要刷新。

在8086最小方式系统总线上扩充设计16K字节的SRAM存储器电路，SRAM芯片选用Intel6264，起始地址从040

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