在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。

题目
填空题
在缓变基区晶体管的基区中会产生一个(),它对少子在基区中的运动起到()的作用,使少子的基区渡越时间()。
参考答案和解析
正确答案: 内建电场,加速,减小
解析: 暂无解析
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第1题:

晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:对

第2题:

要使晶体管有电流放大作用,必须给发射结加正向电压,()加反向电压。

  • A、控制结
  • B、集电区
  • C、基区
  • D、集电结

正确答案:D

第3题:

晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:错误

第4题:

叙述晶体三极管电流的传输过程()。

  • A、发射区向基区注入载流子过程
  • B、少数载流子,在基区扩散与复合过程
  • C、集电区收集载流子的过程
  • D、基区向发射区注入载流子过程

正确答案:A,B,C

第5题:

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

  • A、基区薄而其杂质浓度低
  • B、基区杂质浓度高
  • C、降低发射区杂质浓度
  • D、加强电子在基区的复合

正确答案:A

第6题:

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合


参考答案:A

第7题:

每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。


正确答案:集电区

第8题:

NPN型晶体管的发射区是()型半导体,集电区是()型半导体,基区是()型半导体。


参考答案:N N P

第9题:

下列关于晶体三极管说法证确的是()。

  • A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
  • B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
  • C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
  • D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

正确答案:A

第10题:

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时,()可以提高晶体管最大工作电流。

  • A、增大基区掺杂浓度
  • B、减小基区宽度
  • C、减小发射结面积
  • D、增大集电区杂质浓度

正确答案:D

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