第1题：
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。
第2题：
在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
第3题：
A、P型半导体
B、N型半导体
C、绝缘体
D、导体
第4题：
在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。
第5题：
双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
第6题：
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。
第7题：
在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。
第8题：
A、P,N
B、N,P
C、P,P
D、N,N
第9题：
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
第10题：
在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。