SRAM存储器是()

题目
单选题
SRAM存储器是()
A

静态随机存储器

B

静态只读存储器

C

动态随机存储器

D

动态只读存储器

参考答案和解析
正确答案: B
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要 定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入, 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第2题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的,该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程,只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为“1”,放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容,这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂,制造成本高,速度也要快。正确答案为选项B。

第3题:

SRAM存储器是( )。

A.静态随机存储器

B.静态只读存储器

C.动态随机存储器

D.动态只读存储器


正确答案:A
内存储器分为随机存储器和只读存储器。其中随机存储器又可分为静态RAM
(SRAM,StaticRAM)和动态RAM(DRAM,DynamicRAM)。

第4题:

半导体存储器DRAM与SRAM不同的是需要 ______ 。


正确答案:定时刷新
定时刷新

第5题:

下列存储器中,存储周期最短的是

A.硬盘存储器

B.CD-ROM

C.DRAM

D.SRAM


正确答案:C

第6题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D
解析:该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM),即动态随机存储器,需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失,它的存取速度不是很快;SRAM (静态RAM),即静态随机存取存储器(Static RAM),随机存取存储器的一种,数据存入静态RAM后,只要电源维持不变,其中存储的数据就能够一直维持不变,不需要定时刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度要快,但由于每个存储单元的结构更复杂,集成度也较低,所以应该选择D。

第7题:

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

第8题:

● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。

(9)

A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高

B. DRAM 就是通常说的内存

C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低

D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存


正确答案:A

第9题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D

第10题:

SRAM是指( ),

A.随机访问存储器

B.顺序访问存储器

C.动态随机访问存储器

D.静态随机访问存储器


正确答案:D