下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。

题目
单选题
下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。
A

布里曼法

B

热交换法

C

电磁铸锭法

D

浇铸法

参考答案和解析
正确答案: D
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?


答案:激光晶化法、金属诱导法。

第2题:

某技工在铸造钴铬支架时,合金刚熔解就飞溅,可能是

A、合金熔解过度

B、中熔合金的坩埚熔解高熔合金

C、合金中有杂质

D、合金熔解方式不正确

E、高熔合金的坩埚熔解中熔合金


参考答案:B

第3题:

某技师使用天津产BGL-50G型高频铸造机铸造钴铬支架,在坩埚内放适量合金,将焙烧好的铸圈放在"V"形托架上,对准铸道口,调整配重,熔解时合金飞溅,铸造时铸道口上移,刚按停止键就打开机盖,合金飞溅可能的原因是

A、合金熔点太低

B、合金里有杂质

C、坩埚混用

D、合金熔点太高

E、坩埚有裂缝


参考答案:C

第4题:

下列不属于作业基础管理中作业改进方法的是()。

  • A、消除不必要作业,以降低成本
  • B、在其他条件相同时选择成本最低的作业
  • C、提高作业效率并减少作业消耗
  • D、分析确认重要性作业

正确答案:D

第5题:

熔炼制备K12镍基耐热合金时,所使用的坩埚是()。

  • A、酸性坩埚
  • B、碱性坩埚
  • C、中性坩埚

正确答案:A

第6题:

在进行支架铸造时,合金刚熔解就飞溅,可能的原因是

A.合金熔解过度

B.用低熔合金的坩埚熔解高熔合金

C.合金熔解方式不对

D.用高熔合金的坩埚熔解低熔合金

E.合金中有杂质


正确答案:B

第7题:

下列属于多晶硅制备的方法有()

  • A、硅烷法
  • B、流化床法
  • C、改良西门子法
  • D、浮游带熔融法

正确答案:A,B,C

第8题:

某技师使用天津产BGL-50G型高频铸造机铸造钴铬支架,在坩埚内放适量合金,将焙烧好的铸圈放在"V"形托架上,对准铸道口,调整配重,熔解时合金飞溅,铸造时铸道口上移,刚按停止键就打开机盖,技师在工作过程中;哪项违反了操作规程

A、合金放置不当

B、"V"形托架太高

C、坩埚有裂缝

D、配重没有平衡

E、机器没有停稳就打开盖


参考答案:E

第9题:

以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。


正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的,因为多晶硅中有晶粒间界存在,所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式:①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快,以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠,形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢,所以离晶粒间界较远处杂质原子很少,形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比,晶粒内的扩散可以忽略不计,因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多,其扩散速度一般要大两个数量级。

第10题:

水淋式电极在降低电极温度的同时,又能减少电极侧壁的氧化,从而降低了电极消耗。


正确答案:正确