铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

题目

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第1题：

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

参考答案：C

第2题：

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n^-区和n⁺区掺杂；
4）第四次光刻p⁺区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M₃层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiN_x等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和L_os区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH₃）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为10¹⁷~10¹⁸cm^-3，为轻掺杂的电子导电的n^-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的L_os区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为10²⁰~10²¹cm^-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n⁺区、部分轻掺杂的n^-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n^-区主要用于形成LDD结构的L_os区。重掺杂的n⁺区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第3题：

低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么?

答案：超薄、质量轻、耗电低、系统集成。

第4题：

对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）

A、低，好，多
B、低，好，少
C、低，差，多
D、高，好，多

正确答案:A

第5题：

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

第6题：

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n^-区和n⁺区掺杂→p⁺区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n⁺a-Si沟道切断→SiN_x保护膜、过孔→ITO像素电极

第7题：

简述低温多晶硅技术的挑战。

正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。

第8题：

目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?

答案：激光晶化法、金属诱导法。

第9题：

叙述从硅砂到单晶硅棒和多晶硅锭的主要步骤及其相关制备工艺名称。

正确答案: （1）使用电炉用炭将硅砂还原为冶金级硅；
（2）冶金级硅提纯为半导体级硅：西门子法和ASiMi法（硅烷法）；
（3）半导体级多晶硅原材料转变成单晶硅和多晶硅：单晶硅的制备主要有直拉单晶法（CZ法）和浮融（FZ-FloatZonE.法。铸造多晶硅有三种主要的方法有Bridgman法、铸锭法和电磁铸造法（MEC.。

第10题：

铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）

A、钝化晶界
B、钝化错位
C、钝化电活性杂质

正确答案:A,B,C

铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培

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