由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在（）部位不易形核。

第1题：

晶核的形成有（）方式。

• A、自发形核（异质形核）
• B、非自发形核（异质形核）
• C、自发形核（均质形核）
• D、非自发形核（均质形核）

第2题：

金属熔液在结晶凝固时若液相中各个区域出现新相晶核的几率都是相同的，这种形核方式叫做均匀形核。

第3题：

第4题：

简述再结晶的形核机制。 

第5题：

只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做（）。

• A、自发形核
• B、非自发形核
• C、结晶
• D、形核

第6题：

熔池晶核长大时所增加的表面能形成晶核时所增加的表面能要小，所以，晶粒长大比形核所需的过冷度（）.

• A、要小
• B、要大
• C、相等

第7题：

晶核在长大时，其界面总是向（）区域推进。

• A、无畸变
• B、新晶粒
• C、畸变
• D、不一定

第8题：

第9题：

结晶过程是（）的过程。

• A、形核及晶核长大
• B、形核及晶核转变
• C、晶核及质点长大
• D、晶核及质点转变

第10题：

下述说法哪些正确？在相同过冷度的条件下，（）

• A、非均匀形核比均匀形核的形核率高；
• B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径；
• C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小；
• D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。