半导体掺杂

题目
名词解释题
半导体掺杂
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第1题:

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。


正确答案:空穴;五价;N;电子

第2题:

以下掺杂半导体中属于n型的是()

  • A、In掺杂的Ge
  • B、As掺杂的Ge
  • C、InSb中,Si占据Sb的位置
  • D、GaN中,Mg占据Ga的位置

正确答案:B

第3题:

半导体主要特性()

  • A、光敏
  • B、热敏
  • C、掺杂
  • D、电阻

正确答案:A,B,C

第4题:

本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体


正确答案:错误

第5题:

根据扩散原理,将三价(硼)或五价(磷)杂质原子掺入到硅半导体材料中()

  • A、 温度越高,掺杂越快
  • B、 温度越低,掺杂越快
  • C、 温度恒定,掺杂最快
  • D、 掺杂快慢与温度无关

正确答案:A

第6题:

半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?


正确答案: 1.外延
2.离子注入
3.热扩散

第7题:

什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?


正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少,为提高半导体的导电能力,通常在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称P型半导体。

第8题:

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。


正确答案:离子;能量;退火处理

第9题:

试分析、阐述导体、半导体(本征、掺杂)和绝缘体的能带结构特点。


正确答案: ①导体中含有未满带,在外场的作用下,未满带上的电子分布发生偏移,从而改变了原来的中心堆成状态,占据不同状态的电子锁形成的运动电流不能完全抵消,未抵消的部分就形成了宏观电流;
②绝缘体不含未满带,满带中的电子不会受外场的作用而产生偏离平衡态的分布,而一些含有空带的绝缘体,也因为禁带间隙过大,下层满带的电子无法跃迁到空带上来形成可以导电的未满带,所以绝缘体不能导电;
③本本征半导体的情况和绝缘体类似,区别是其禁带能隙比较小,当受到热激发或外场作用时,满带中的电子比较容易越过能隙,进入上方空的允带,从而使材料具有一定的导电能力;
④掺杂半导体则是通过掺入异质元素,从而提供额外的自由电子或者额外的空穴以供下层电子向上跨越,使得跨越禁带的能量变低,电子更加容易进入上层的空带中,从而具有导电能力。

第10题:

半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。


正确答案:正确