半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?

题目
问答题
半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?
参考答案和解析
正确答案: 1.外延
2.离子注入
3.热扩散
解析: 暂无解析
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第1题:

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

第2题:

半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?


正确答案: 1.外延
2.离子注入
3.热扩散

第3题:

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷


参考答案:A

第4题:

本征半导体(纯半导体)的Eg小于掺杂质半导体


正确答案:错误

第5题:

什么叫掺杂半导体?什么叫N型半导体?什么叫P型半导体?


正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少,为提高半导体的导电能力,通常在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称P型半导体。

第6题:

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的()。


正确答案:离子;能量;退火处理

第7题:

以下掺杂半导体中属于n型的是()

  • A、In掺杂的Ge
  • B、As掺杂的Ge
  • C、InSb中,Si占据Sb的位置
  • D、GaN中,Mg占据Ga的位置

正确答案:B

第8题:

半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)


正确答案:
        

第9题:

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷
  • E、空穴
  • F、自由电子

正确答案:A,C

第10题:

下列掺杂半导体属于n型半导体的是()

  • A、In掺杂的Ge
  • B、As掺入Ge
  • C、As掺入Si
  • D、InSb中,Si占据Sb的位置
  • E、GaN中,Mg占据Ga的位置

正确答案:B,C