简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。

题目
问答题
简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。
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相似问题和答案

第1题:

晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。

A、直拉法

B、布里奇曼法

C、区熔法

D、真空蒸发法


参考答案:D

第2题:

目前,合成红宝石的方法有:().

  • A、水热法
  • B、焰熔法和助熔剂法
  • C、冷坩埚法
  • D、导模法和提拉法
  • E、气相沉淀法

正确答案:A,B,D

第3题:

栓剂的制备方法有

A.热熔法

B.冷压法

C.搓捏法

D.熔和法

E.研和法


正确答案:ABC
ABC[解析]栓剂的制备方法,其中搓捏法一般用于少量制备。

第4题:

直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?()

  • A、6
  • B、2
  • C、4
  • D、5

正确答案:D

第5题:

简述单晶材料制备中定向凝固法原理。


正确答案: (1)本质上,定向凝固法是借助在一个温度梯度内进行结晶,从而在单一的固-液界面上成核。
(2)要结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内,使该坩埚下降通过一个温度梯度,或者使加热器坩埚上升。通常把坩埚固定在一个设计得能产生近似一线性梯度的温度的炉子内,然后冷炉子

第6题:

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。

A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅

B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅

D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅


参考答案:C

第7题:

软膏剂的制备方法不包括

  • A、分散法
  • B、乳化法
  • C、熔和法
  • D、研和法

正确答案:A

第8题:

栓剂基质的制备常采用下列哪种方法( )。

A.冷压法

B.热压法

C.热熔法

D.研和法

E.熔和法


正确答案:C

第9题:

简述单晶材料制备中提拉法的原理。


正确答案: (1)要生长的结晶物质材料在坩埚中熔化而不分解,不与周围环境起反应。
(2)籽晶预热后旋转着下降与熔体液面接触,同时旋转籽品,这一方面是为了获得热对称性,另一方面也搅拌了熔体。待籽晶微熔后再缓慢向上提拉。
(3)降低坩埚温度或熔体温度梯度,不断提拉,使籽晶直径变大(即放肩阶段),然后保持合适的温度梯度和提拉速度使晶体直径不变(即等径生长阶段)。
(4)当晶体达到所需长度后,在拉速不变的情况下升高熔体的温度或在温度不变的情况下加快拉速使晶体脱离熔体液面。
(5)对晶体进行退火处理,以提高晶体均匀性和消除可能存在的内部应力(晶体退火的目的也在于此)。

第10题:

关于制剂制备方法的叙述中错误的是()

  • A、软膏剂可用研合法、熔和法和乳化法制备
  • B、栓剂的制法有搓捏法、热熔法和冷压法
  • C、片剂最常用的方法是湿法制粒压片
  • D、脂质体的制备方法常用的是注入法、薄膜分散法和超声波分散法
  • E、微球的制备常采用单凝聚法

正确答案:E