第1题:
简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
第2题:
干氧氧化法具备以下一系列的优点()。
第3题:
第4题:
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。
第5题:
干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。
第6题:
二氧化硅膜的质量要求有()。
第7题:
二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。
第8题:
二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?
第9题:
磁光盘记录信息的载体是()
第10题:
按制造工艺集成电路分为()。
单选题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于()。A 结晶形二氧化硅B 无定形二氧化硅
问答题改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施?分别具有怎样的原理?
问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?
三种薄膜蒸发器中()薄膜蒸发器目前应用范围较广
判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A 对B 错
多选题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层,是利用其具有的()A高电阻率;B高化学稳定性;C低介电常数;D高介电强度。
改善塑料薄膜的印刷适性主要有哪些措施?分别具有怎样的原理?
问答题二氧化硅膜在集成电路中有哪些用途?
填空题用C-V测试可以测定二氧化硅薄膜的:()
在冷库中应用塑料薄膜封闭贮藏应注意的问题