二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?

题目
问答题
二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?
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相似问题和答案

第1题:

简述RTP在集成电路制造中的常见应用。


正确答案: 1)杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态,意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶度限制。例如,对砷进行数毫秒的退火,它的激活浓度可达到3×1021左右,大约是其固溶度的10倍。因为,在短时间的退火过程中,砷原子没有足够的时间来形成聚团并凝聚成无活性的缺陷。
2)介质的快速热加工快速热氧化(RTO)可以在合适的高温下通过精确控制的气氛来实现短时间生长薄氧层。(干氧方法)RTO生长的氧化层具有很好的击穿特性,电性能上坚固耐用。由于不均匀温度分布产生的晶圆片内的热塑应力影响了RTO的均匀性。若适当冷却反应腔壁,可以用作冷壁工艺,防止腔壁污染后续工艺。3)硅化物和接触的形成快速热处理也经常被用于形成金属硅化物接触,其可以仔细控制硅化反应的温度和环境气氛,以尽量减少杂污染,并促使硅化物的化学配比和物相达到最理想的状态。形成阻挡层金属也是RTP在Si技术中的一个应用,这些导电的阻挡层金属可以阻止硅衬底和用于器件互联的Al基合金之间的互扩散。另外RTP还可以在GaAs工艺中用于接触的形成,淀积一层金锗混合物并进行热退火,可以在N型GaAs材料上形成低阻的欧姆接触。

第2题:

干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

  • A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B、生长的二氧化硅干燥
  • C、生长的二氧化硅结构致密
  • D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

正确答案:A,B,C,D,E

第3题:

磁光盘记录信息的载体是()。

A.集成电路
B.染料
C.磁光薄膜
D.磁铁

答案:C
解析:

第4题:

按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和()集成电路。

  • A、数字
  • B、厚膜
  • C、小规模
  • D、专用

正确答案:B

第5题:

干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。

  • A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
  • B、氧化的速度慢
  • C、生长的二氧化硅缺陷多
  • D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

正确答案:B

第6题:

二氧化硅膜的质量要求有()。

  • A、薄膜表面无斑点
  • B、薄膜中的带电离子含量符合要求
  • C、薄膜表面无针孔
  • D、薄膜的厚度达到规定指标
  • E、薄膜厚度均匀,结构致密

正确答案:A,B,C,D,E

第7题:

二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。

  • A、电
  • B、磁
  • C、光
  • D、热

正确答案:C

第8题:

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?


正确答案:①器件保护(避免划伤和污染),因sio2致密;
②表面钝化(饱和悬挂键,降低界面态;需一定厚度,降低漏电流等);
③用作绝缘介质和隔离(LOCOS,STI)如:隔离(如场氧,需要一定的厚度);
④绝缘栅(膜厚均匀,无电荷和杂质,需干氧氧化)、多层布线绝缘层、电容介质等;
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。

第9题:

磁光盘记录信息的载体是()

  • A、磁铁
  • B、磁光薄膜
  • C、染料
  • D、集成电路

正确答案:B

第10题:

按制造工艺集成电路分为()。

  • A、半导体集成电路
  • B、TTL集成电路
  • C、厚膜集成电路
  • D、薄膜集成电路
  • E、CMOS集成电路

正确答案:A,C,D