半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。

第1题：

第2题：

二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

第3题：

第4题：

干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。

• A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
• B、氧化的速度慢
• C、生长的二氧化硅缺陷多
• D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差

第5题：

干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。

• A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
• B、生长的二氧化硅干燥
• C、生长的二氧化硅结构致密
• D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
• E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

第6题：

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用？

第7题：

二氧化硅膜的质量要求有（）。

• A、薄膜表面无斑点
• B、薄膜中的带电离子含量符合要求
• C、薄膜表面无针孔
• D、薄膜的厚度达到规定指标
• E、薄膜厚度均匀，结构致密

第8题：

第9题：

二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。

• A、电
• B、磁
• C、光
• D、热

第10题：

生产性粉尘中游离二氧化硅含量指的是生产性粉尘中含有结晶型游离二氧化硅的质量百分比。