问答题说明晶体缺陷促进固态相变形核的原因？

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说明晶体缺陷促进固态相变形核的原因？

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相似问题和答案

第1题：

金属塑性变形之后，晶体缺陷（）。

A、增多
B、减少
C、不一定
D、不变

正确答案:A

第2题：

晶体缺陷对固态相变形核有什么影响？

正确答案:晶体缺陷是能量起伏、结构起伏和成分起伏最大的区域，在这些区域形核时，原子扩散激活能低，扩散速度快，相变应力容易被松弛。在固态相变中，从能量的观点来看，均匀形核的形核功最大，空位形核次之，位错形核更次之，晶界非均匀形核的形核功最小。

第3题：

固态收缩阶段是铸件产生应力和变形的根本原因。

此题为判断题(对，错)。

正确答案：√

第4题：

铸件产生应力、变形的根本原因是（）

A、流动性差
B、液态收缩
C、凝固收缩
D、固态收缩

正确答案:D

第5题：

说明实际金属晶体缺陷种类及特征。

正确答案: 根据晶体缺陷的几何尺寸大小可分为三类：点缺陷，线缺陷，面缺陷。点缺陷的主要类型有空位和间隙原子。晶体中的线缺陷就是位错。面缺陷包括晶界、亚晶界和孪晶界。

第6题：

简述固态相变形成新相的形状与界面能和界面应变能的关系。

正确答案:圆盘形粒子所导致的应变能最小，其次是针状，球形粒子最大。界面不共格时，盘状应变能最低，界面能较高，球形界面能最低，但应变能最大。

第7题：

说明金属在冷变形、回复、再结晶及晶粒长大四个阶段的行为与表现，并说明各阶段促使这些晶体缺陷运动的驱动力是什么。

正确答案:（1）冷变形加工时主要的形变方式是滑移，由于滑移，晶体中空位和位错密度增加，位错分布不均匀。缺陷运动驱动力为切应力作用。
（2）回复过程空位扩散、聚集或消失；位错密度降低，位错相互作用重新分布（多样化）。缺陷运动驱动力为弹性畸变能。
（3）再结晶过程毗邻低位错密度区晶界向高位错密度区的晶粒扩张。位错密度减少，能量降低，成为低畸变或无畸变区。缺陷运动驱动力为形变储存能。
（4）晶粒长大阶段弯曲界面向其曲率中心移动，微量杂质原子偏聚在晶界区域，对晶界移动起到拖曳作用，这与杂质吸附在位错中组成柯氏气团阻碍位错运动相似，影响了晶界的活动性。缺陷运动驱动力为晶粒长大前后总的界面能差，而界面移动的驱动力是界面曲率。

第8题：

晶体缺陷的种类有（）

A、点缺陷
B、线缺陷
C、面缺陷
D、体缺陷
E、相缺陷

正确答案:A,B,C,D

第9题：

说明晶体缺陷的概念和分类方法，简述各种晶体缺陷的概念、特征及其对性能的影响。

正确答案: 概念：晶体缺陷是指晶体中偏离理想的完整结构的区域。
分类方法：按形成晶体缺陷的原子种类，可将晶体缺陷分成化学缺陷和点阵（几何）缺陷两类。按点阵缺陷在三维空间的尺度，又可将点阵缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。
1、点缺陷：是指在x、y、z方向上的尺寸都很小的点阵缺陷，包括空位和间隙原子。
特点：点缺陷是热力学平衡缺陷，即在平衡状态下也总以一定的浓度存在。
影响：
（1）空位浓度升高，导体的电阻升高。
（2）空位引起体积增加、密度减小。
（3）辐照损伤，即用电子、中字、质子、α粒子等高能粒子照射材料，在材料中导入大量空位和间隙原子，引起材料损伤。
2、线缺陷：线缺陷是指在两个方向上尺寸都很小，另一个方向相对很长的点缺陷，也叫一维缺陷，如位错。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是为错的法线方向。
影响：
（1）位错的密度降低，位错数量减少，材料的屈服强度将降低。
（2）由于位错附近自由能升高，位错消失可以导致自由能降低，因此位错附近可发生优先腐蚀。
（3）由于位错引起的局部点阵畸变也能引起传导电子的额外散射，也可能引起电阻升高。
（4）位错导致扩散加速。
3、面缺陷：面缺陷是指在两个方向上尺寸很大，另一方向上尺寸很小的点缺，也叫二维缺陷。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是位错的法线方向，滑移的结果都是在晶体表面形成宽度为b的台阶。
影响：
（1）堆垛层错使材料的自由能有些增加，但本身几乎不产生畸变，对材料的性能影响不大。
（2）外表面对材料性能的影响在于很难获得清洁的表面。
（3）相界面是新相的形核的优先位置，相界面常常是最优先腐蚀的位置。对普通材料而言，它会使材料的强度增加，原因是它增大了位错运动的阻力。

第10题：

金属在固态时由于温度降低而发生的体积收缩。固态收缩对铸件的形状和尺寸精度影响很大，是铸造应力、变形和裂纹等缺陷产生的基本原因。

正确答案:正确

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