问答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

题目

问答题

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

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相似问题和答案

第1题：

例举出传统装配的4个步骤。

正确答案:传统装配的4个步骤：
1.背面减薄；
2.分片；
3.装架；
4.引线键合。

第2题：

例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。

正确答案:IC生产过程中的5种不同电学测试：
（1）IC设计验证：描述、调试和检验新的芯片设计，保证符合规格要求，是在生产前进行的。
（2）在线参数测试：为了监控工艺，在制作过程的早期（前端）进行的产品工艺检验测试。在硅片制造过程中进行。
（3）硅片拣选测试（探针）：产品功能测试，验证每一个芯片是否符合产品规格。在硅片制造后进行。
（4）可靠性：集成电路加电并在高温下测试，以发现早期失效（有时候，也在在线参数测试中进行硅片级的可靠性测试）。在封装的IC进行。
（5）终测：使用产品规格进行的产品功能测试。在封装的IC进行。

第3题：

例举并描述薄膜生长的三个阶段。

正确答案:（1）晶核形成
分离的小膜层形成于衬底表面，是薄膜进一步生长的基础。
（2）凝聚成束
形成（Si）岛，且岛不断长大
（3）连续成膜
岛束汇合并形成固态的连续的薄膜淀积的薄膜可以是单晶（如外延层）、多晶（多晶硅栅）和无定形（隔离介质，金属膜）的

第4题：

例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？

正确答案:第一步：用碳加热硅石来制备冶金级硅
第二步：通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷
第三步：利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅
纯度能达到99.99999999%

第5题：

以P₂O₅为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。

正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的，因为多晶硅中有晶粒间界存在，所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式：①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快，以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠，形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢，所以离晶粒间界较远处杂质原子很少，形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比，晶粒内的扩散可以忽略不计，因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多，其扩散速度一般要大两个数量级。

第6题：

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

正确答案:硅中固态杂质扩散的三个步骤：
（1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
（2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
（3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。

第7题：

例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。

正确答案:1.分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上
2.旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶伸展到整个硅片表面
3.旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层
4.溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥

第8题：

砂浆和混凝土用硅灰按其使用时的状态，可分为（）？

A、硅灰剂
B、硅灰浆
C、硅灰
D、水性硅灰
E、固态硅灰

正确答案:B,C

第9题：

例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。

正确答案:硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。

第10题：

请例举三个应用在大型工厂的设备。

正确答案:大型工业工厂设备有：烧玻璃燃烧器、印刷机、烧毛头机、金属熔炉、大型的热水或蒸汽锅炉、燃气空调、所有需要产生高热的炉具如高炉、高温窑等。

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。

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