电子
中子
α射线
二次电子
第1题：
光电效应的特征是（）。
第2题：
在光线作用下，电子从物体表面逸出的物理现象，称为外光电效应，也称光电发射效应。
第3题：
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是
A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射
B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射
C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生
D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射
E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
第4题：
光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为（）效应。
第5题：
外光电效应即在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。
第6题：
光电管的实测伏安特性曲线不同于理论曲线的原因是实测的光电流实际上是阴极光电子发射形成的（）、阳极光电子发射形成的（）和光电管的（）的代数和。
第7题：
光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。
第8题：
A. 外光电效应
B. 内光电效应
C. 光电发射
D. 光导效应
第9题：
在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（）。
第10题：
在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也称为光电发射效应。