对
错
第1题:
对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。
A对
B错
第2题:
当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。
A对
B错
第3题:
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。
A对
B错
第4题:
当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。
第5题:
当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。
A对
B错
第6题:
对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。
A对
B错
第7题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。
A对
B错
第8题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
A对
B错
第9题:
当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。
第10题:
当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。