关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()

题目
单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()
A

持续时间长

B

突触前膜去极化

C

潜伏期较长

D

通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E

轴突末梢释放抑制性递质

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第1题:

突触前抑制的特点下列哪一项是错误的

A、突触前膜去极化

B、持续时间长

C、潜伏期较长

D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现

E、轴突末梢释放抑制性递质


参考答案:E

第2题:

关于突触前抑制的描述,错误的是()

A.中间兴奋性神经元兴奋

B.突触后膜超极化

C.突触前膜去极化

D.突触前膜释放兴奋性递质

E.突触前膜内递质耗竭


参考答案:B

第3题:

关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的

A、持续时间长

B、突触前膜去极化

C、潜伏期较长

D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E、轴突末梢释放抑制性递质


参考答案:E

第4题:

下述关于兴奋突触传递过程的论述,哪一项是错误的?

A. 突触前膜去极化
B. Ca2+进入突触前膜
C. 突触前膜释放兴奋性递质
D. 突触后膜对Na+通透性增强
E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位

答案:E
解析:

第5题:

下列突触前抑制的描述,哪个是不正确的

A.突触前膜释放递质量减少

B.一定有轴—轴突触存在

C.突触前膜释放抑制性递质

D.多见于感觉传入途径中


正确答案:C

第6题:

关于突触的描述中,哪一项是错误的()。

A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经元之间特化的细胞连接

B.可分为电突触和化学突触,通常泛指的突触是后者

C.光镜下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分

D.突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡

E.突触后膜上有特异性受体


正确答案:C

第7题:

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

A.突触前末梢去极化

B.Ca2+由膜内进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动


正确答案:E
解析:IPSP产生过程是:突触前末梢去极化,Ca2+由膜内进入突触前膜内,引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合,使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高,突触后膜出现超极化的电位变化,突触后神经元表现抑制。

第8题:

下列关于突触前抑制的叙述,错误的是

A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D、潜伏期短,持续时间短

E、可调节控制感觉信息的传入活动


参考答案:BD

第9题:

关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的

A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

答案:E
解析:
抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位,对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用,使该神经元不容易产生动作电位。

第10题:

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?

A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP

答案:A
解析:

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