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单选题自由基中能使DNA损伤或使染色体发生畸变的主要是（）。A O2-•B OH•C L•D LO•E LOO•

题目
单选题
自由基中能使DNA损伤或使染色体发生畸变的主要是（）。
A

O2-•

B

OH•

C

L•

D

LO•

E

LOO•

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第1题：

染色体畸变分析检测的遗传学终点是

A.DNA完整性改变

B.DNA重排或交换

C.DNA碱基序列改变

D.染色体完整性改变

E.染色体分离改变


参考答案：E

第2题：

关于自由基引起缺血一再灌注损伤的机制，以下不正确的是

A、破坏细胞膜的正常结构

B、组织因子释放

C、引起自由基大量产生

D、染色体畸变

E、损伤蛋白质的结构和功能


参考答案：B

第3题：

细胞致死性损伤指

A、DNA单链断裂

B、DNA双链断裂

C、染色体断裂

D、染色体畸变

E、染色体易位


参考答案：B

第4题：

下列关于染色体畸变和基因突变叙述正确的是( )①染色体畸变是指染色体数目或结构发生改变；基因突变则是DNA分子中个别核苷酸的改变②基因突变可产生新的基因，染色体畸变则不能产生新基因③基因突变其遗传效应小，染色体畸变则遗传效应大④染色体畸变可通过细胞学鉴别，而基因突变则不能鉴别

A.①②
B.②③
C.③④
D.①④
E.②④

答案：A
解析：
③错误：基因突变和染色体畸变都是遗传物质的改变，由遗传物质改变引起的变异都是可遗传的，遗传效应无大小之分。④错误：染色体畸变可通过细胞检查鉴别其染色体数目或结构是否发生了改变，而基因突变则可通过其指导蛋白质的合成，最终是否引起生物性状的改变来鉴别。

第5题：

电离辐射致放射损伤的细胞学基础是

A．DNA损伤的错误修复

B．短时间内接受超过一定量的照射，许多细胞死亡或无法修复

C．细胞膜损伤

D．线粒体损伤

E．染色体畸变


正确答案：B

第6题：

微核试验用于检测的致突变类型是()

A、DNA损伤

B、移码突变

C、染色体畸变

D、碱基置换突变

E、基因组突变


参考答案：C

第7题：

破坏核酸及染色体的主要自由基是

A、O·

B、HO

C、OH·

D、O

E、LOO·


参考答案：C

第8题：

化学毒物诱发基因突变和染色体畸变的机制是

A.以DNA为靶的诱变

B.不以DNA为靶的诱变

C.DNA链受损

D.DNA加合物

E.DNA损伤


参考答案：A

第9题：

电离辐射致癌的分子基础是

A.DNA损伤的错误修复

B.短时间内接受超过一定量的照射，许多细胞死亡或无法修复

C.细胞膜损伤

D.线粒体损伤

E.染色体畸变


正确答案：E
略

第10题：

染色体畸变分析试验的遗传学终点为

A.DNA完整性改变
B.DNA交换或重排
C.DNA碱基序列改变
D.染色体完整性改变和染色体分离异常
E.DNA损伤

答案：D
解析：

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