突触前膜超极化
突触后膜超极化
突触前膜去极化
突触前膜释放抑制性递质
潜伏期较短
第1题：
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是
A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D、潜伏期短，持续时间短
E、可调节控制感觉信息的传入活动
第2题：
关于突触前抑制的叙述，正确的是( )。
A、突触前膜超极化
B、突触后膜超极化
C、突触前膜去极化
D、突触前膜释放抑制性递质
E、潜伏期较短
第3题：
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A．是局部去极化电位 B具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第4题：
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有"全或无"性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第5题：
关于突触前抑制的叙述，正确的是
A、突触前膜超级化
B、突触后膜超级化
C、突触前膜去极化
D、突触后膜去极化
E、没有神经递质参与
第6题：
A、突触前膜超极化
B、突触后膜超极化
C、突触前膜去极化
D、突触前膜释放抑制性递质
E、潜伏期较短
第7题：
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A、是局部去极化电位
B、具有"全或无"性质
C、是局部超极化电位
D、由突触前膜递质释放量减少所致
E、是局部去极化电位
第8题：
A、突触前膜超极化
B、突触后膜超极化
C、突触前膜去极化
D、突触前膜释放抑制性递质
E、潜伏期较短
第9题：
关于突触前抑制的叙述，正确的是
A．突触前膜超极化
B．突触后膜超极化
C．突触前膜去极化
D．突触后膜去极化
E．没有神经递质参与
第10题：