假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
第1题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
第2题：
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
第3题：
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
第4题：
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
第5题：
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
第6题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
第7题：
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
第8题：
γ-Fe中碳的固溶度为2.11％，α-Fe中碳的固溶度则是0.0218％，为什么γ-Fe中的溶入量要比α-Fe大？
第9题：
一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。
第10题：
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。