对
错
第1题：
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
第2题：
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
第3题：
第4题：
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
第5题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
第6题：
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
第7题：
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第8题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
第9题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
第10题：
淀积粘化