第1题：
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
第2题：
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
第3题：
第4题：
淀积粘化
第5题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
第6题：
热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
第7题：
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
第8题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
第9题：
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
第10题：
淀积黏粒胶膜