问题:大硅片上生长的()的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔
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问题:涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为()。A、后烘B、去水烘烤C、软烤D、烘烤
问题:溅镀法,因为其阶梯覆盖的能力不良,很容易造成因填缝不完全所留下的()。A、鸟嘴B、空洞C、裂痕D、位错
问题:电原理图的绘制有哪些注意事项?
问题:()是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。A、LPCVDB、PECVDC、CVDD、PVD
问题:在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
问题:说明簧片类元件的焊接技巧是什么?
问题:请总结电烙铁的分类及结构是什么?
问题:恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
问题:采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是()的。A、结晶形态B、非结晶形态C、可能是结晶形态的,也可能是非结晶形态的D、以上都不对
问题:半导体分立器件如何分类?
问题:电气测量仪表中,整流式对电流的种类与频率的适用范围是()。A、直流B、工频及较高频率的交流C、直流及工频交流D、直流及工频与较高频率的交流
问题:买来的新树脂往往是Na型或Cl型,新树脂使用前必须分别用酸(阳树脂),碱(阴树脂)浸泡约()个小时,把Na型或Cl型转换成H型或OH型。A、3B、4C、5D、6
问题:在半导体工艺中,与氮化硅比较,二氧化硅更适合应用在()。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
问题:二氧化硅膜的质量要求有()。A、薄膜表面无斑点B、薄膜中的带电离子含量符合要求C、薄膜表面无针孔D、薄膜的厚度达到规定指标E、薄膜厚度均匀,结构致密
问题:()是通过把被蒸物体加热,利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的。A、蒸镀B、溅射C、离子注入D、CVD
问题:静电偏转电极和静电扫描器都是()电容器。A、片状B、针尖状C、圆筒状D、平行板
问题:刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
问题:决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否()而定。A、动能最低B、稳定C、运动D、静止
问题:什么是焊膏?焊接工艺对焊膏提出哪些技术要求?