试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。
第1题:
第2题:
当GTR发生的二次击穿,()
第3题:
GTR存在二次击穿现象。()
第4题:
UPS常用的电力电子器件有:()
第5题:
电力场效应管MOSFET()现象。
第6题:
第7题:
使用功率MOSFET时要注意()。
第8题:
P-MOSFET存在二次击穿现象。()
第9题:
GTR的主要缺点之一是()
第10题:
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。
电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
单选题功率晶体管(GTR)从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
GTR的优点是控制方便、开关时间短,低频特性好,缺点是存在局部过热现象,可能导致二次击穿。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
问答题描述GTR的二次击穿特性。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。A GTO和GTR;B TRIAC和IGBT;C MOSFET和IGBT;D SCR和MOSFET;
Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?
问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。