试解释为什么GTR有二次击穿现象，而Power MOSFET没有。
第1题：
第2题：
当GTR发生的二次击穿，（）
第3题：
GTR存在二次击穿现象。()
第4题：
UPS常用的电力电子器件有：（）
第5题：
电力场效应管MOSFET（）现象。
第6题：
第7题：
使用功率MOSFET时要注意（）。
第8题：
P-MOSFET存在二次击穿现象。()
第9题：
GTR的主要缺点之一是（）
第10题：
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
Power MOSFET和GTR哪个易于并联，为什么？
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
问答题描述GTR的二次击穿特性。
