有二次击穿
无二次击穿
防止二次击穿
无静电击穿
第1题：
驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()
第2题：
GTO指的是( )。
A、电力场效应晶体管
B、绝缘栅双极晶体管
C、电力晶体管
D、门极可关断晶闸管
第3题：
A、电力二极管
B、门极可关断晶闸管
C、电力晶体管
D、电力场效应晶体管
第4题：
电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
第5题：
第6题：
IGBT有哪些缺点?( )
A、开关速度不及电力MOSFET
B、开关速度比电力MOSFET快
C、电压、电流容量不及GTO
D、电压、电流容量比GTO大
第7题：
第8题：
()是电压控制型电力电子器件。
A.P-MOSFET、GTO
B.TRIAC、GTR
C.P-MOSFET、IGBT
D.IGBT、SITH
第9题：
电力场效应管MOSFET（）现象。
第10题：
应用电力场效应晶体管的注意事项是什么？