电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。

题目

电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。

  • A、有二次击穿
  • B、无二次击穿
  • C、防止二次击穿
  • D、无静电击穿
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第1题:

驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()


正确答案:对

第2题:

GTO指的是( )。

A、电力场效应晶体管

B、绝缘栅双极晶体管

C、电力晶体管

D、门极可关断晶闸管


正确答案:D

第3题:

( )的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管


参考答案:C

第4题:

电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。


正确答案:正确

第5题:

简述电力场效应晶体管的优缺点。


参考答案:电力场效应管具有驱动电路简单、驱动功率小、开关速度快、工作频率高(它是所有电力电子器件中工作频率最高的)、输入阻抗高、热稳定性优良、无二次击穿、安全工作区宽等显著优点,但是电力MOSFET电流容量小,耐压低,通态电阻大,只适用于中小功率电力电子装置。

第6题:

IGBT有哪些缺点?( )

A、开关速度不及电力MOSFET

B、开关速度比电力MOSFET快

C、电压、电流容量不及GTO

D、电压、电流容量比GTO大


正确答案:A,C

第7题:

SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。


参考答案:多子导电;相当;大;高频大功率

第8题:

()是电压控制型电力电子器件。

A.P-MOSFET、GTO

B.TRIAC、GTR

C.P-MOSFET、IGBT

D.IGBT、SITH


正确答案:CD

第9题:

电力场效应管MOSFET()现象。

  • A、有二次击穿
  • B、无二次击穿
  • C、防止二次击穿
  • D、无静电击穿

正确答案:B

第10题:

应用电力场效应晶体管的注意事项是什么?


正确答案: 1)防止静电击穿F电容
2)防止偶然性震荡,在栅极外接10K电阻或栅源间外接0.5
3)防止过电流冲击,采取加速断开的措施
4)防止过电压冲击,可在极间并接二极管或RC吸收网络