第1题：
第2题：
当GTR发生的二次击穿，（）
第3题：
GTR存在二次击穿现象。()
第4题：
GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。
第5题：
GTR的主要缺点之一是（）
第6题：
当GTR发生的一次击穿，（）
第7题：
电力场效应管MOSFET（）现象。
第8题：
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
第9题：
PN结的主要特性是（）。
第10题：
稳压二极管的工作是利用其伏安特性的（）
判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A 对B 错
在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A 一次击穿B 二次击穿C 临界饱和D 反向截至
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
描述GTR的二次击穿特性。
