晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。

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第1题：

晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：对

第2题：

晶体管具备电流放大的内部条件是()。

A.基区薄而其杂质浓度低

B.基区杂质浓度高

C.降低发射区杂质浓度

D.加强电子在基区的复合

参考答案：A

第3题：

晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。

A、一个

B、两个

C、三个

D、四个

参考答案：B

第4题：

晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。

正确答案:错误

第5题：

对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。

A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；
B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；
C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；
D、以上说法都错。

正确答案:C

第6题：

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

参考答案：D

第7题：

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

A、基区
B、集电区
C、发射区
D、饱和区

正确答案:C

第8题：

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A、基区很薄且掺杂浓度很低

B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D、集电区面积大于发射区面积

正确答案:C

第9题：

NPN型三极管的基区中多数载流子是电子

正确答案:错误

第10题：

晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.

正确答案:两

晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复

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