EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
第1题：
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第2题：
此题为判断题(对，错)。
第3题：
此题为判断题(对，错)。
第4题：
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。
第5题：
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
第6题：
第7题：
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
第8题：
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。
A、栅源电流
B、栅源电压
C、漏源电流
D、漏源电压
第9题：
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
第10题：
结型场效应管的基本工作原理是（）