场效应管跨导与静态电流IDQ的关系为()
第1题:
A.增大
B.不变
C.减小
D.不确定
第2题:
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时,漏源极电压与栅极电流的比值。
第3题:
A.电流控制电流
B电流控制电压
C电压控制电压
D电压控制电流
第4题:
跨导gm反映了场效应管()对()控制能力,其单位为()或()。
第5题:
摆动导杆机构的极位夹角与导杆摆角的关系为()。
第6题:
由下列器件构成的模拟开关中,导通电阻最低的是( )。
A.CMOS场效应管
B.PMOS场效应管
C.NMOS场效应管
D.二簧继电器
第7题:
下列描述正确的是()
第8题:
A.增大
B.不变
C.减小
第9题:
场效应管与三极管相似,但两者的控制特性却截然不同,三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。()
第10题:
关于纯电阻的正弦交流电路,错误的说法是()