简述再结晶的形核机制。 

题目

简述再结晶的形核机制。 

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相似问题和答案

第1题:

二次再结晶是()

  • A、相变过程
  • B、形核长大过程
  • C、某些晶粒特别长大的现象

正确答案:B

第2题:

由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。

  • A、大角度晶界和孪晶界
  • B、相界面
  • C、外表面

正确答案:C

第3题:

简述桩核冠的固位形与抗力形的要求。


正确答案:1.桩的长度为根长的2/3~3/4,根尖留3~5mm以封闭根管口和侧支根管。
2.桩的直径为根径的1/3;依材料可有不同。
3.桩的形态一般与根外形一致,近似圆锥形;有时根据固位要求可呈柱行或梯形。
4.冠与根面的关系1.5mm牙本质肩领。

第4题:

将冷变形金属热到再结晶温度时,发生再结晶现象。即变形的晶粒重新形核。


正确答案:正确

第5题:

简述薄膜形核的过程和长大的过程。


正确答案: 形核:一般是气相原子在基底的表面聚集而成,包括吸附、凝结、临界核形成、稳定核形成等过程。入射到基体表面的气相原子被悬挂键吸引住,发生物理吸附或化学吸附,表面能降低,吸附后的原子仍可发生解吸。吸附的原子不能在基底表面稳定存在,自发形成固态的薄膜。吸附后的原子在基体表面具有水平方向的动能,使其在不同方向上进行扩散,单个原子间通过相互碰撞,凝结成原子对和更大的原子团。在满足一定热力学条件下,先生成临界核,在此基础上加一个原子就可变为稳定核。
长大:指形成稳定核后薄膜的形成过程,一般经历岛状、连并、沟道、连续膜四个阶段。分散在基底表面的大量晶核长大,直至相互接触并逐渐布满整个基底表面形成连续薄膜。

第6题:

冷形变金属在再结晶时可以亚晶合并、亚晶长大和原晶界弓出三种方式形核。


正确答案:正确

第7题:

金属的再结晶转变,也要经历形核与晶核长大的过程。


正确答案:正确

第8题:

再结晶是形核—长大过程,所以也是一个相变过程。


正确答案:错误

第9题:

再结晶过程也是形核和长大的过程,所以再结晶过程也是相变过程。


正确答案:错误

第10题:

简述真核生物转录水平的调控机制。


正确答案: 主要通过反式作用因子与顺式作用元件和RNA聚合酶(RNA polymerase,RNA pol)的相互作用完成。
(1)顺式作用元件(cis-acting element)指某些能影响基因表达但不编码新的蛋白质和RNA的DNA序列,按照功能分为启动子、增强子、负调控元件(沉默子等)。
(2)反式作用因子(trans-acting factor)指能直接或间接地识别或结合在各顺式作用元件8~12bp核心序列上,参与调控靶基因转录效率的一组蛋白质,也称序列特异性DNA结合蛋白(sequence specific DNA binding protein,SDBP),这是一类细胞核内蛋白质因子。在结构上含有与DNA结合的结构域。
(3)反式作用因子的调控机制
①反式作用因子的活性调节:真核基因转录起始的调节,首先表现为反式作用因子的功能调节,即特定的反式作用因子被激活后,可以启动特定基因的转录。反式作用因子的激活方式如下:表达式调节;共价修饰;配体结合;蛋白质与蛋白质相互作用。
②反式作用因子作用方式:成环;扭曲;滑动;Oozing。
③反式作用因子的组合式调控:基因表达的调控不是由单一的反式作用因子完成而是几种因子组合,发挥特定的作用。