CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
第1题:
质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?
第2题:
物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。
第3题:
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
第4题:
寒带地区的两个主要气候类型的基本特点是什么?它们都分布在哪里?
第5题:
布线测试一般分有哪些测试,它们分别又被称为什么,它们的好处是什么?在布线施工过程中,由于端接技巧和放线、穿线技术等原因会产生哪些接线错误?
第6题:
对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第7题:
通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。
第8题:
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
第9题:
简述旅行费用法和意愿调查评价法两方法的主要工作步骤,它们分别在什么情况下可以应用?
第10题:
SLIP和PPP协议的主要特点是什么?它们适用在什么情况下?