解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

第1题：

有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

• A、负胶受显影液的影响比较小
• B、正胶受显影液的影响比较小
• C、正胶的曝光区将会膨胀变形
• D、使用负胶可以得到更高的分辨率
• E、负胶的曝光区将会膨胀变形

第2题：

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

第3题：

解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

第4题：

第5题：

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

• A、ARC
• B、HMDS
• C、正胶
• D、负胶

第6题：

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

• A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
• B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
• C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
• D、有较高的光敏度
• E、有较高的对比度

第7题：

晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

• A、除去光刻胶中剩余的溶剂
• B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
• C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
• D、有利于以后的去胶工序
• E、减少光刻胶的缺陷

第8题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

第9题：

第10题：