下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
第1题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第2题：
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
第3题：
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
第4题：
下列材料中电阻率最低的是（）。
第5题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
第6题：
反应离子腐蚀是（）。
第7题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
第8题：
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅
B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
第9题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
第10题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。