当前制造白光LED的主流方法是什么?

题目

当前制造白光LED的主流方法是什么?

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相似问题和答案

第1题:

简述白光LED半导体光源优点。


正确答案: 白光LED半导体光源具有电压低、能耗小、寿命长、可靠性高等突出优点。同样亮度的LED半导体光源耗电量仅为普通白炽灯的1/12,寿命可延长100倍。

第2题:

LED背光源采用的是白光LED,还是RGB三基色LED,哪种更有优势?


正确答案:白色光LED背光源采用能发出白色光的LED光源代替原来的CCFL荧光管。结构与CCFL背光源基本一致,主要差别是CCFL是线光源,而LED是点光源。优点是:结构简单、亮度可动态调节、容易实现区域控制、对比度很高。由于白光LED不涉及背光源的调光,在电路结构方面要求不高。在成本上比RGB-LED背光源低。缺点是:在色彩显示特性方面上不如RGB-LED电视,一般只能达到NTSC色域的70%左右。
RGB-LED背光源的优点是:
1)高色彩表现力。采用RGB三原色独立发光器件,能实现广色域;
2)高动态对比度。RGB-LED电视可以支持背光区域调光技术,亮度调节更容易实现,对比度能够达到千万:1级,提高了电视的图像质量。RGB-LED背光源的缺点是:成本高;需要单独的调光电路和更好的散热结构;结构复杂,难以做到轻薄化。
从性能上比RGB三基色LED更有优势,从成本上比白光LED更有优势。

第3题:

LED的发光波长是由形成P-N结的半导体材料决定的,请问首先被制造出来的是什么样的LED?()

A、红光LED

B、绿光LED

C、蓝光LED

D、黄光LED


答案:A

第4题:

Cree公司曾对LED灯进行光生物实验,确认LED灯唯一足以引起注意的健康危险是用眼睛观看()。

  • A、蓝光
  • B、白光
  • C、红光
  • D、黄光

正确答案:A

第5题:

目前制造白光LED的主流技术是()。

  • A、近紫外LED芯片+RGB荧光粉
  • B、RGB三基色合成白光
  • C、蓝光LED芯片+YAG荧光粉
  • D、蓝光LED芯片+黄光LED芯片

正确答案:C

第6题:

业内普遍认为,只有当白光LED发光效率突破()LED才有望进入普通照明市场。

  • A、40lm/W
  • B、60lm/W
  • C、80lm/W
  • D、100lm/W

正确答案:D

第7题:

LED是通过哪些方法来实现白光的?


正确答案: 目前LED实现白光的方法主要有三种:
通过LED红、蓝、黄的三基色多芯片组合发光合成白光;优点:效率高、色温可控、显色性较好。缺点:三基色光衰不同导致色温不稳定、控制电路较复杂、成本较高。
蓝光LED芯片激发黄色荧光粉,由LED蓝光和荧光粉发出的黄绿光合成白光,为改变显色性能还可在其中加少量红色荧光粉或同时加适量绿色、红色荧光粉;优点:效率高、制备简单、温度稳定性较好、显色性较好。缺点:一致性差、色温、角度变化。
近紫外光LED芯片激发荧光粉发出三基色合成白光。优点:显色性好、制备简单。缺点:目前LED芯片效率较低、有紫外光泄漏问题、荧光粉温度稳定性问题有待解决。

第8题:

锂电矿灯LED主灯不亮的原因及排除方法是什么?


参考答案:(1)电缆损坏,应更换电缆 ;(2)LED主灯损坏,应更换LED主灯

第9题:

白光LED的发光原理是什么?


正确答案:白光 LED 的发光原理是根据红光+绿光+蓝光=白光的三基色原理,由于绿光和红光混 合呈黄光,所以一般采取蓝光及其补色黄光混合成白光。

第10题:

当前生产超高亮LED的外延方法主要有几种?什么是MOCVD?


正确答案:当前生产超高亮LED的外延方法主要有两种,即液相外延生产AlGaAsLED和金属有机物化学气相淀积(MOCVD.生产AlGaAs、AlGaInP和InGaNLED。
其中尤以MOCVD方法为主。一九六八年,Manesevil等人用三甲基镓(TMG)做镓源AsH3做As源,H2作载气在绝缘衬底(Al2O3、MgAlO4等)上首次成功地气相淀积了GaAs外延层,创立了金属有机物化学气相淀积技术。后来的研究表明这是一种具有高可靠性、控制厚度、组成惨杂浓度精度高,垂直性好、灵活性大、非常适合于进行III-V族化合物半导体及其溶体的外延生长,也可应用于II-VI族等,是一种可以实现像硅外延那样大规模生产的工艺,具有广阔发展前途,目前是生产AlGaInP红色和黄色LED和InGaN蓝色、绿色和白色LED的可工业化方法。由于MOCVD的晶体生长反应是在热分解中进行的,所以又叫热分解法。通常用III族烷基化合物(Al、Ga、In等的甲基或乙基化合物)作为III族源,用V族氢化物(NH3、PH3、AsH3等作为V族源。由III族烷基化合物在室温附近是蒸气压较高的液体,所以用氢气作载气鼓泡并使之饱和,再将其与V族氢化物一起通入反应炉中,即在加热的衬底上进行热分解,生成化合物晶体淀积在衬底上。先进的MOCVD设备应具有一个同时生长多片均匀材料,并能长期保持稳定的生长系统。设备的精确过程控制是保证能重复和灵活地进行生产优质外延材料的必要条件。所以设备应具有对载气流量和反应剂压力的精密控制系统,并配备有快速的气体转换开关和压力平衡装置。将用合适结构,使用权热场均匀,并保证具有满意的结晶质量和表面形貌和外延炉内、片与片、炉与炉之间的均匀性。
目前国际上供应MOCVD设备的公司主要有三个,即美国Veeco公司、德国的Aixtron公司和美国的ThomasSwan公司。