第1题:
例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
第2题:
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()
第3题:
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。
第4题:
He,OH,Na等元素在900℃下,在二氧化硅中的扩散率大于10-13cm2/s,这些元素称为()。
第5题:
在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。
第6题:
以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
第7题:
固体中的扩散模型主要有填隙机制和()。
第8题:
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度,习惯上常用()。
第9题:
下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。
第10题:
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的