杂质在硅中的扩散方式有哪些?

题目
问答题
杂质在硅中的扩散方式有哪些?
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相似问题和答案

第1题:

例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。


正确答案:硅中固态杂质扩散的三个步骤:
(1)预淀积:表面的杂质浓度浓度最高,并随着深度的加大而减小,从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
(2)推进:这是个高温过程,用以使淀积的杂质穿过硅晶体,在硅片中形成期望的结深
(3)激活:这时的温度要稍微提升一点,使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子,改变了硅的电导率。

第2题:

在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:()


正确答案:恒定表面源扩散

第3题:

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。


正确答案:替位;间隙

第4题:

在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。

  • A、填隙扩散
  • B、杂质扩散
  • C、推挤扩散
  • D、自扩散

正确答案:B

第5题:

在空位扩散中,如果迁移到空位的原子是基质原子,扩散属于()。

  • A、推挤扩散
  • B、杂质扩散
  • C、填隙扩散
  • D、自扩散

正确答案:D

第6题:

以P2O5为例,多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。


正确答案: 在多晶硅薄膜中进行杂质扩散的扩散方式与单晶硅中的方式是不同的,因为多晶硅中有晶粒间界存在,所以杂质原子主要沿着晶粒间界进行扩散。主要有三种扩散模式:①晶粒尺寸较小或晶粒内的扩散较快,以至从两边晶粒间界向晶粒内的扩散相互重叠,形成如图A类分布。②晶粒较大或晶粒内的扩散较慢,所以离晶粒间界较远处杂质原子很少,形成如图B类分布。③与晶粒间界扩散相比,晶粒内的扩散可以忽略不计,因此形成如图C类分布。所以多晶扩散要比单晶扩散快得多,其扩散速度一般要大两个数量级。

第7题:

下列材料属于N型半导体是()。

  • A、硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
  • B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)
  • C、砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
  • D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

正确答案:A,C

第8题:

以下哪些元素为炼钢中未去除的杂质()

  • A、碳
  • B、硅
  • C、硫
  • D、锰
  • E、磷

正确答案:C,E

第9题:

下列哪些元素在硅中是快扩散元素:()。

  • A、Na
  • B、B
  • C、P
  • D、As

正确答案:A

第10题:

下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。

  • A、硼
  • B、锡
  • C、锑
  • D、磷
  • E、砷

正确答案:C,D