第1题:
解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?
第2题:
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
第3题:
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
第4题:
第5题:
晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。
第6题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第7题:
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第8题:
光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。
第9题:
第10题:
问答题根据成像结果的不同,光刻胶可分为哪两种类型,其中哪种成本较低且应用较早?
多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
问答题列出并描述两种主要的光刻胶。
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。
问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
判断题光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是,光刻胶只对特定波长的光线敏感,例如深紫外线和白光,而对黄光不敏感。A 对B 错