光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

第1题：

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

第2题：

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

• A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
• B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
• C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
• D、有较高的光敏度
• E、有较高的对比度

第3题：

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

第4题：

第5题：

晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

• A、除去光刻胶中剩余的溶剂
• B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
• C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
• D、有利于以后的去胶工序
• E、减少光刻胶的缺陷

第6题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

第7题：

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

第8题：

光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

• A、树脂
• B、感光剂
• C、HMDS
• D、溶剂
• E、PMMA

第9题：

第10题：