实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。

题目
判断题
实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。
A

B

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相似问题和答案

第1题:

实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。

此题为判断题(对,错)。


正确答案:×

第2题:

金属单晶体的塑性变形方式为()。 

  • A、滑移
  • B、孪晶
  • C、位错
  • D、A或B

正确答案:D

第3题:

塑性变形的主要形式是()。

A、孪晶

B、滑移

C、位错

D、结晶


参考答案:B

第4题:

单晶体的滑移,实际上是位错的移动。


正确答案:正确

第5题:

晶体的滑移是晶体中的()在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。

  • A、空位
  • B、晶界
  • C、间隙原子
  • D、位错

正确答案:D

第6题:

滑移是材料在切应力作用下,沿一定的晶面(滑移面)和晶向(滑移方向)进行切变过程。()


答案:对
解析:

第7题:

实际金属晶体的塑性变形方式为()。 

  • A、滑移
  • B、孪晶
  • C、蠕变
  • D、滑移+孪晶

正确答案:D

第8题:

DEA是快速平滑移动平均线与慢速平滑移动平均线的差。( )


正确答案:B
DIF是快速平滑移动平均线与慢速平滑移动平均线的差,DEA是DIF的移动平均。

第9题:

对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?


正确答案: 硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题(硅片边缘温度比中心低):
圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少
圆片边缘的热损失比圆片中心大
气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好
边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度,不仅导致热处理工艺的不均匀,且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。

第10题:

产生滑移的晶向称之为()。 

  • A、滑移面
  • B、滑移方向
  • C、滑移带
  • D、滑移线

正确答案:B