问答题后光刻时代有那些光刻新技术？

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后光刻时代有那些光刻新技术？

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第1题：

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第2题：

述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。

正确答案:ITO的作用：
1）TFT处ITO，作像素电极用。与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示；
2）存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极。与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，两个电极之间的介质层为绝缘层和钝化层；
3）外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层。为防止金属电极直接曝露在大气下氧化，在外引线曝露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

第3题：

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第4题：

光刻技术

正确答案: 光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图像印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。光刻工艺的基本过程包括涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶。

第5题：

光刻

正确答案: 图形曝光和图形蚀刻。

第6题：

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
D、有较高的光敏度
E、有较高的对比度

正确答案:A,B,C,D,E

第7题：

简述7次光刻的第二次光刻中O₂灰化的作用。

正确答案:O₂灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiN_x膜的上面进行氧气O₂等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiO_x薄膜，增强与光刻胶的附着性。

第8题：

解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？

正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。

第9题：

晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。

A、除去光刻胶中剩余的溶剂
B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
D、有利于以后的去胶工序
E、减少光刻胶的缺陷

正确答案:A,B,C,E

第10题：

填空题

光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。

正确答案：溶解度,温度,甩胶时间,转速

解析：暂无解析

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