对
错
第1题:
分别写出刻蚀及去PSG的工艺控制流程?
第2题:
干法刻蚀的目的是什么?例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么?
第3题:
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
第4题:
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
第5题:
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。
第6题:
反应离子腐蚀是()。
第7题:
刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工艺。
第8题:
铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
第9题:
()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
第10题:
在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。