第1题：
二轴晶光率体的光轴面与圆切面为：（）.
第2题：
沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
第3题：
A、草酸钙方晶砂晶
B、草酸钙柱晶
C、晶纤维
D、草酸钙方晶
E、草酸钙簇晶
第4题：
番泻叶粉末中可见（）
第5题：
集成电路的主要制造流程是（）
第6题：
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
第7题：
晶粒越细小，晶界越（），晶格畸变越（），强度硬度越高。
第8题：
圆翳内障是指（ ）。
A、黑睛雾状混浊
B、神膏混浊
C、晶珠混浊
D、神水混浊
E、白睛混浊
第9题：
番泻叶的显微特征为（）
第10题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。