对
错
第1题:
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
第2题:
在大规模集成电路的制造中,更多采用的是MOS工艺集成电路,而不是双极型集成电路。
第3题:
A、膜集成电路
B、半导体集成电路
C、混合集成电路
D、模拟集成电路
第4题:
一般来说,CAS的隔离罩深度估算公式为净空高度+渣层厚度+罩插入钢液中的深度(100~200mm)。
第5题:
集成电路按照制造工艺可分为()。
第6题:
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。
第7题:
按制造工艺集成电路分为()。
第8题:
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?
第9题:
对于插入深度500mm的真空炉,渣层厚度一般不超过150mm。最大不能超过300mm。
第10题:
选用管子时,管子制造过程中造成的纵向刮伤,深度不得超过()的额定管壁厚度。