②④
①③
①④
②③
第1题：
当温度升高时，溶质在气相中的分子扩散系数（），在液相中的分子扩散系数（）。
第2题：
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
第3题：
扩散系数与温度有关，温度每增加()度，各种物质在溶液中的扩散系数平均增加 2.6%。
A、1
B、2
C、3
D、4
第4题：
膜的透过特性取决于细孔流及水、溶质在容胀膜表面中的扩散系数。通过细孔的溶液量与整个膜的透水量之比愈小，同时水在膜中的扩散系数与溶质在膜中的扩散系数之比愈大，则膜的（）。
第5题：
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
第6题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
第7题：
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
第8题：
表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（）。
第9题：
河流的稀释能力主要取决于河流的（）的能力。
第10题：
如杂质的量增加，扩散系数与温度关系曲线中本征与非本征扩散的转折点（）。