对
错
第1题：
二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（）。
第2题：
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
第3题：
下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关
A．二氧化硅含量
B．结合型二氧化硅
C．二氧化硅浓度
D．二氧化硅分散度
E．接触二氧化硅的工龄
第4题：
降速干燥阶段：干燥速率降低，谷物表面的水分蒸发速度大于内部水分的扩散速度，干燥过程由内部（）控制。
第5题：
如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。
第6题：
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
第7题：
当热氧化的最初阶段，（）为限制反应速率的主要原因。
第8题：
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
第9题：
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。
第10题：
二氧化硅的种类及类型不同，对人体的危害作用也不同，哪一种致纤维化作用最强（）.