第1题：
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
第2题：
提高近表面缺陷的探测能力的方法是（）
第3题：
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。
第4题：
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
第5题：
提高探头频率，增大晶片尺寸可以提高近表面缺陷的探测能力
第6题：
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。
第7题：
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
第8题：
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
第9题：
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
第10题：
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。