单选题探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。A  声束的指向性B  近场区长度C  远距离缺陷检出能力D  以上都是

题目
单选题
探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。
A

 声束的指向性

B

 近场区长度

C

 远距离缺陷检出能力

D

 以上都是

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第1题:

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。


正确答案:正确

第2题:

检测时采用高频探头,可有利于()

  • A、发现较小的缺陷
  • B、区分开相邻的缺陷
  • C、改善声束指向性
  • D、以上都是

正确答案:D

第3题:

从探头表面发射出的声束受下列哪些因素影响?①声束波长;②探头材料;③压电晶片的直径

A、②

B、①③

C、②③

D、①②③

E、①②


参考答案:B

第4题:

提高近表面缺陷的探测能力的方法是()

  • A、用TR探头
  • B、使用窄脉冲宽频带探头
  • C、提高探头频率,减小晶片尺寸
  • D、以上都是

正确答案:D

第5题:

横波探头晶片尺寸一定,K值增大时,近场区长度减小。


正确答案:正确

第6题:

在斜探头厚焊缝探伤时,为提高缺陷定位精度可采取措施是()

  • A、提高探头声束指向性
  • B、校准仪器扫描线性
  • C、提高探头前沿长度和K值测定精度
  • D、以上都对

正确答案:B

第7题:

晶片尺寸相同,超声场的近场长度愈短,声束指向性愈好。


正确答案:错误

第8题:

探头的晶片尺寸增加对探头的()有不利影响。

  • A、 声束的指向性
  • B、 近场区长度
  • C、 远距离缺陷检出能力
  • D、 以上都是

正确答案:B

第9题:

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 

  • A、 增大
  • B、 不变
  • C、 减小
  • D、 都有可能

正确答案:C

第10题:

探头晶片尺寸(),近场区长度增加,对近表面的缺陷探测不利。


正确答案:增大