问答题DRAM的CAS和RAS输入的用途是什么？

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问答题

DRAM的CAS和RAS输入的用途是什么？

参考答案和解析

正确答案： CAS为列地址选通信号，用于指示地址总线上的有效数据为列地址；RA行地址选通信号，用于指示地址总线上的有效数据为列地址。

解析：暂无解析

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第1题：

当多片8259A级联使用时,对于从8259A,信号CAS0－CAS2时()

A.输入信号

B.输出信号

C.输入∕输出信号

正确答案:A

第2题：

CAS—OB的冶金功能和技术特点是什么?

本题答案：1)钢液升温和精确控制钢水温度
2)促进夹杂物上浮
3)精确控制钢水成分
4)均匀钢水成分和温度
5)与眼线配合，不实现夹杂物变性处理

第3题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

A．①和②

B．②和③

C．③和④

D．①和④

正确答案：D
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入，这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。

第4题：

μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。

A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚

B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新

C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的

D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

正确答案：D

第5题：

CPU执行指令需要从存储器读取数据时,数据搜索的顺序是()。

A、cache、DRAM和硬盘

B、DRAM、cache和硬盘

C、硬盘、DRAM和cache

D、DRAM、硬盘和cache

参考答案：A

第6题：

RA滑膜组织可见()原癌基因过度表达。

A、ras、b-myc、c-myb

B、ras、c-myc、c-myb

C、cas、c-mmc、c-myb

D、ras、c-myc、c-my

E、rrs、c-myc、c-myb

答案：C

第7题：

当多片8259A级联使用时,对于从8259A,信号CAS0~CAS2是( )。

A.输入信号

B.输出信号

C.输入/输出信号

D.接地

参考答案：A

第8题：

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中正确的是

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。

第9题：

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

A．Ⅰ和Ⅱ

B．Ⅱ和Ⅲ

C．Ⅲ和Ⅳ

D．Ⅰ和Ⅳ

正确答案：D

第10题：

当使用LINE命令封闭多边形时，最快的方法是（）。

A.输入C回车
B.输入B回车
C.输入PLOT回车
D.输入DRAM回车

答案：A

解析：

DRAM的CAS和RAS输入的用途是什么？

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