问题：硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。A、粒子的扩散B、化学反应C、从气体源通过强迫性的对流传送D、被表面吸附
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问题：解释失效率及其单位，解释“浴盆曲线”各段的含义。
问题：在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。A、耐热陶瓷器皿B、金属器皿C、石英舟D、玻璃器皿
问题：涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。A、后烘B、去水烘烤C、软烤D、烘烤
问题：什么是焊膏？焊接工艺对焊膏提出哪些技术要求？
问题：试简述电感器的应用范围、类型、结构。
问题：静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。A、片状B、针尖状C、圆筒状D、平行板
问题：电原理图的绘制有哪些注意事项？
问题：试叙述SMT维修工作站的配置及用途。
问题：净化室里废气收集管系统分为两类，分别是（）。A、一般排气系统B、特殊排气系统C、制程排气系统D、专用排气系统E、排气排水系统
问题：恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
问题：目前，最广泛使用的退火方式是（）。A、热退火B、激光退火C、电子束退火D、离子束退火
问题：复合床和混合床可以串联使用。复合床就是指将阳树脂和阴树脂分别装在两个（）内串接起来。A、交换柱B、混合床C、混合柱D、复合柱
问题：刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
问题：说明簧片类元件的焊接技巧是什么？
问题：操作浸焊机时应注意哪些问题？
问题：在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
问题：二氧化硅薄膜的折射率是表征其（）学性质的重要参数。A、电B、磁C、光D、热
问题：决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。A、动能最低B、稳定C、运动D、静止
问题：请总结电烙铁的分类及结构是什么？
